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Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC - Samsung

Name: Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC - Samsung
Brand: Samsung

Samsung MZ-V9S4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7250 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC Peso y dimensiones Ancho: 80,2 mm Profundidad: 2,38 mm Altura: 80,2 mm Peso: 9 g Control de energía Voltaje de operación: 3,3 V Consumo de energía (lectura): 5,5 W Consumo de energía (escritura): 4,8 W Consumo de energía (espera): 0,06 W Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 5 mW Condiciones ambientales Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C Golpes en funcionamiento: 1500 G Empaquetado Ancho del paquete: 148 mm Profundidad del paquete: 100 mm Altura del paquete: 22 mm Peso del paquete: 70 g Características SDD, capacidad: 4 TB Factor de forma de disco SSD: M.2 Interfaz: PCI Express 4.0 NVMe: Si Tipo de memoria: V-NAND TLC Componente para: PC Encriptación de hardware: Si Versión NVMe: 2.0 Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) Velocidad de lectura: 7250 MB/s Velocidad de escritura: 6300 MB/s Lectura aleatoria (4KB): 1050000 IOPS Escritura aleatoria (4KB): 1400000 IOPS Función DevSleep: Si Soporte S.M.A.R.T.: Si Soporte TRIM: Si Tiempo medio entre fallos: 1500000 hMostrar más

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Marcas: Samsung
GTIN: 08806095575667
Categorías: Computer & Büro > Speichermedien > Festplatten > Interne Festplatten > Interne SSD-Festplatten

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