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Samsung 990 EVO Plus 4 TB Interne M.2 PCIe NVMe SSD 2280 M.2 NVMe PCIe 4.0 x4, M.2 NVMe PCIe 5.0 x2
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Samsung 990 EVO Plus 4 TB Interne M.2 PCIe NVMe SSD 2280 M.2 NVMe PCIe 4.0 x4, M.2 NVMe PCIe 5.0 x2

Velocità spettacolare ogni giorno Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti. Energia per tutta la giornata Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi. Più spazio. Massima velocità. Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB. Software Samsung Magician Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware. Diamo vita alle idee Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione. Performance Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente. Efficienza energetica Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace. Versatilità Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia. Dimensioni e peso Larghezza: 80,2 mm Profondità: 2,38 mm Altezza: 80,2 mm Peso: 9 g Gestione energetica Tensione di esercizio: 3,3 V Consumo di energia (in lettura): 5,5 W Consumo di energia (in scrittura): 4,8 W Consumo energetico (inattivo): 0,06 W Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa): 5 mW Condizioni ambientali Intervallo temperatura di funzionamento: 0 - 70 °C Shock di funzionamento: 1500 G Dati su imballaggio Larghezza imballo: 148 mm Profondità imballo: 100 mm Altezza imballo: 22 mm Peso dell'imballo: 70 g Caratteristiche Capacità SSD: 4 TB Dimensione SSD: M.2 Interfaccia: PCI Express 4.0 NVMe: Sì Tipo memoria: V-NAND TLC Componente per: PC criptaggio hardware: Sì Versione di NVMe: 2.0 Algoritmi di sicurezza supportati: 256-bit AES Dimensioni dell'unità SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) Velocità di lettura: 7250 MB/s Velocità di scrittura: 6300 MB/s Lettura casuale (4KB): 1050000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) Scrittura casuale (4KB): 1400000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) Supporto di DevSIp (standby del dispositivo): Sì Supporto S.M.A.R.T.: Sì Supporto TRIM: Sì Tempo medio tra guasti (MTBF): 1500000 hMehr anzeigen
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Produktdetails

Hersteller
Samsung
GTIN
08806095575667
Kategorien
Computer & Büro > Speichermedien > Festplatten > Interne Festplatten > Interne SSD-Festplatten

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